干货分享 | 超宽压铁路电源方案的分析与对比

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因此为了优化氮化铌薄膜在特定应用方面的性能，分享分析研究其生长-结构-性质之间的关系至关重要。超宽图文导读图1 不同厚度氮化铌薄膜的X光衍射谱。

对于某些特定应用，压铁源方对比如超导量子干涉仪和快速单通量量子逻辑电路等，不仅对氮化铌薄膜的厚度有很高要求（3-5纳米），还需要外延生长技术。文献链接UltrathinepitaxialNbNsuperconductingfilms withhighuppercriticalfieldgrownatlow temperature.MaterialsResearchLetters,9:8,336-342.(https://doi.org/10.1080/21663831.2021.1919934)背景信息氮化铌（NbN）超导薄膜因其相对较高的超导转变温度（Tc），干货以及优异的临界电流密度-磁场（Jc-H）特性被广泛应用于多种电子设备中，干货比如超导纳米线单光子探测器（SNSPD）及超导Josephson结。结果介绍在本文中，分享分析美国应用材料公司MingweiZhu团队和布法罗大学QuanxiJia教授团队展开合作，分享分析利用磁控反应溅射技术，成功在较低的温度下（400摄氏度）制备出了高质量超薄（5-50纳米）外延生长的氮化铌超导薄膜。

总结该工作实现了比较低温条件下晶片规模尺寸的氮化铌薄膜的外延生长，超宽并深入探讨了氮化铌超导薄膜的超导特性与薄膜厚度的密切关系。压铁源方对（b）不同磁场强度下（0-7T）厚度为5纳米的氮化铌薄膜的电阻率-温度特性曲线。

干货图2 厚度为5纳米的氮化铌薄膜的STEM分析以及EDS图谱。

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